Description
2N1613 Transistor BJT NPN 50V 500mA TO-39 CDIL RoHS
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : 50V
- Courant collecteur Ic : 500mA
- Fréquence de transition : 60MHz
- Tension base émetteur Vbe : 0.78 à 1.3V (150mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 0.3 à 1.5V (150mA)
- Gain en courant hFE : 20 à 120
- Dissipation de puissance : 800mW
- Température de jonction : +200°
- Boitier : TO-39
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited