2N1613 Transistor BJT NPN 50V 500mA TO-39 CDIL

2N1613 Transistor BJT NPN 50V 500mA TO-39 CDIL RoHS

• Transistor bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 50V
• Courant collecteur Ic : 500mA
• Fréquence de transition : 60MHz
• Tension base émetteur Vbe : 0.78 à 1.3V (150mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 0.3 à 1.5V (150mA)
• Gain en courant hFE : 20 à 120
• Dissipation de puissance : 800mW
• Température de jonction : +200°
• Boitier : TO-39
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited