description
Les appareils sont fabriqués à l'aide de la technologie planaire multi-épitaxiale haute tension pour des vitesses de commutation élevées et une capacité de haute tension. Grâce à une couche intermédiaire accrue, il a une robustesse intrinsèque qui permet au transistor de résister à un niveau de courant de collecteur élevé pendant les conditions de panne, sans utiliser la protection transil généralement nécessaire dans les convertisseurs typiques pour le ballast de lampe.
