Description
TEMT1030 Phototransistor IR Chip Silicon 950nm SMD Vishay RoHS
- Phototransistor NPN
- Longueur d'onde de sensibilité maximale : 880 à 950nm
- Tension collecteur émetteur VCEO : 70V
- Courant collecteur max : 50mA
- Dissipation de puissance : 100mW
- Angle de détection : 15°
- Temps de réponse : 2.3µs
- Température de fonctionnement : -40° +85°
- Conforme RoHS
- Fabricant : Vishay