Description
BC559B Transistor NPN 30V 100mA 0.5W TO-92 CDIL RoHS
- Transistor bipolaire PNP (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : -30V
- Courant collecteur Ic : -100mA
- Fréquence de transition : 100MHz
- Tension base émetteur Vbe : 0.82V (10mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 0..65V (100mA)
- Gain en courant hFE : 200 à 450
- Dissipation de puissance : 500mW
- Température de jonction : +150°
- Boitier : TO-92
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited