SIHP14N60E-GE3 Transistor MOSFET N-CH 600V 13A TO-220AB Vishay

SIHP14N60E-GE3 Transistor MOSFET N-CH 600V 13A TO-220AB Vishay RoHS

• Transistor MOSFET canal N
• Tension drain source Vds : 600V
• Courant continu Id : 13A
• Résistance Rds(on) : 0.27 à 0.31ohm
• Tension grille source Vgs : 30V
• Tension seuil Vgs(th) : 4V
• Dissipation de puissance : 147W
• Température d'utilisation : -55° +150°
• Boitier : TO-220AB
• Conforme RoHS
  
• Fabricant : Vishay