Description
BPW85C Phototransistor chip silicon 850nm T-1 Vishay
- Type : Phototransistor
- Polarité : NPN
- Crête de longueur d'onde : 850nm
- Courant de lumière maximal : 8000uA
- Courant collecteur maximal : 50mA
- Tension maximale de collecteur émetteur : 5V
- Tension collecteur-émetteur maximale : 70V
- Dissipation de puissance maximale : 100mw
- Température de fonctionnement : -40° +100°
- Diamètre : 3.4mm
- Conforme RoHS
- Fabricant : Vishay