Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur : 300mV
Dissipation de puissance maximale : 100mW
Température de fonctionnement maximale : 100°
BPW16N est un phototransistor NPN au silicium à haute sensibilité radiante dans un boîtier plastique transparent en T-¾ avec fenêtre plate. Il est sensible au rayonnement visible et au proche infrarouge. Sur le circuit imprimé , cette taille de boîtier permet d'assembler des réseaux avec un pas de 2,54 mm
