BC549B Transistor BJT NPN 30V 100mA 625mW TO-92 CDIL


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Conforme RoHS

Description

BC549B Transistor NPN 30V 100mA 0.625W TO-92 CDIL 

  • Transistor bipolaire NPN (BJT)
  • Tension collecteur émetteur Vceo : 30V
  • Courant collecteur Ic : 100mA
  • Fréquence de transition : 300MHz
  • Tension base émetteur Vbe : 0.90V (100mA)
  • Tension de saturation Vce(sat) : 0..60V (100mA)
  • Gain en courant hFE : 200 à 450
  • Dissipation de puissance : 625mW
  • Température de jonction : +150°
  • Boitier : TO-92
  • Conforme RoHS
  • Fabricant : Continental Device India Limited

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