2N2907A Transistor BJT PNP 60V 600mA TO-18 CDIL

2N2907A Transistor BJT PNP 60V 600mA TO-18 CDIL

• Transistor bipolaire PNP (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : -60V
• Courant collecteur Ic : -600mA
• Fréquence de transition : 200MHz
• Tension base émetteur Vbe : 1.3V (150mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 0.4V (150mA)
• Gain en courant hFE : 100 à 300
• Dissipation de puissance : 400mW
• Température de jonction : +150°
• Transistor complémentaire : 2N2222A
• Boitier : TO-92
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited