Description
2N2222A Transistor BJT NPN 40V 0.8A TO-18 CDIL
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : 40V
- Courant collecteur Ic : 800mA
- Fréquence de transition : 200MHz
- Tension base émetteur Vbe : 0.6 à 1.2V (150mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 0.3V (150mA)
- Gain en courant hFE : 100 à 300
- Dissipation de puissance : 500mW
- Température de jonction : +200°
- Transistor complémentaire : 2N2907A
- Boitier : TO-92
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited