2N2222A Transistor BJT NPN 40V 0.8A TO-18 CDIL

2N2222A Transistor BJT NPN 40V 0.8A TO-18 CDIL

• Transistor bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 40V
• Courant collecteur Ic : 800mA
• Fréquence de transition : 200MHz
• Tension base émetteur Vbe : 0.6 à 1.2V (150mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 0.3V (150mA)
• Gain en courant hFE : 100 à 300
• Dissipation de puissance : 500mW
• Température de jonction : +200°
• Transistor complémentaire : 2N2907A
• Boitier : TO-92
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited